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电子元器件详细资料 » IC[27123] » SI4966DY-T1-E3
型号:SI4966DY-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C-
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 7.1A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs50nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大-
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
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SI4966DY-T1-E3相关型号

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